Mitsubishi Electric IGBT-Modul / 100 A, 600 V 775 W, 7-Pin 94 x 34 mm Oberfläche

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

2

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)

20 V

Gehäusegröße

94 x 34 mm

Höhe

30mm

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

600V

Länge

94mm

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

1.65V

Maximale Verlustleistung (Pd)

775W