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Infineon Zweifach N IPG Typ N-Kanal 2 Leistungs-Transistor 40 V Erweiterung / 20 A 41 W, 8-Pin SuperSO

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPG20N04S412AATMA1

Produkt-Nr.: P-DRGD4V-DR2DKK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
40V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
12.19mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
14nC
Gehäusegröße
SuperSO
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
20A
Maximale Betriebstemperatur
175°C
Maximale Verlustleistung (Pd)
41W

Produktbeschreibung

Der Zweikanal-MOSFET mit Normalpegel von Infineon hat die gleiche thermische und elektrische Leistung wie ein DPAK mit der gleichen Matrizengröße. Das freiliegende Pad bietet eine ausgezeichnete Wärmeübertragung. Es handelt sich um zwei n-Kanal in einem Gehäuse mit 2 isolierten Kabelrahmen.Es ist RoHS-konform und gemäß AEC Q101 zugelassen Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET

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