Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 40 A 89 W, 3-Pin ISOMETRISCH
Technische Daten
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 3.5mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 42nC
- Gehäusegröße
- ISOMETRISCH
- Höhe
- 0.68mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 40A
- Länge
- 6.35mm
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 89W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET & Diode
- Serie
- StrongIRFET
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET & Diode
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 40A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 40V
Gehäusegröße = ISOMETRISCH
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 3.5mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 42nC
Länge = 6.35mm
Automobilstandard = Nein
Produktangebot
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
Alle Angebote
| 12 Monate | 0,67 € 0,80 € inkl. MwSt.* | Bestes Angebot | Maximal 4800 verfügbar | ||
| 12 Monate | 2,67 € 3,18 € inkl. MwSt.* |
* zzgl. Versandkosten