Infineon SPP18P06P-H Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / -18.7 A 81.1 W, 3-Pin PG-TO252-3

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.13Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.33V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

28nC

Gehäusegröße

PG-TO252-3

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

-18.7A

Maximale Betriebstemperatur

175°C