Infineon SPD04P10PL G Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / -4.2 A 38 W, 3-Pin PG-TO252-3

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

850mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.94V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

12nC

Gehäusegröße

PG-TO252-3

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

-4.2A

Maximale Betriebstemperatur

175°C