Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8.8 A 42 W, 3-Pin TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

300mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-1.55V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

10nC

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

8.8A

Maximale Betriebstemperatur

175°C