Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 330 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

3Ω

Durchlassspannung (Vf)

-1.1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

2.38nC

Gehäusegröße

SOT-23

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

330mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C