Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 30 A 125 W, 3-Pin TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

75mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-1.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

32nC

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

30A

Maximale Betriebstemperatur

175°C