Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.9 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 300mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- -1.1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 13nC
- Gehäusegröße
- SOT-223
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 1.9A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 1.8W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 4
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- SIPMOS
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 1.9A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = SOT-223
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 300mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 1.8W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1.6mm
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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