Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 170 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

12Ω

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

1nC

Gehäusegröße

SOT-23

Höhe

0.9mm

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

170mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C