Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 150 mA 300 mW, 3-Pin SC-70

Name: Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 150 mA 300 mW, 3-Pin SC-70
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BSS84PWH6327XTSA1

Produkt-Nr.: P-DRLTFL-DRXTKG

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 60V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 25Ω
Durchlassspannung (Vf): -1.12V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 1nC
Gehäusegröße: SC-70
Kabelkanaltyp: Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 150mA
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 300mW
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: SIPMOS

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 150mA
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = SC-70
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 25Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 300mW
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 0.8mm
Automobilstandard = AEC-Q101

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Zustand: Neu

Garantie: 12 MonateMindestbestellmenge: 500Mengenintervall: 500

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