Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.17 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 800mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- -0.97V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 5.2nC
- Gehäusegröße
- SOT-223
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 1.17A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 1.8W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 4
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- SIPMOS
Produktbeschreibung
Die Infineon-BSP315P-OptiMOS-Familien umfassen P-Kanal-Leistungs-MOSFETs. Diese Produkte erfüllen durchgängig die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in wichtigen Spezifikationen für das Design von Stromversorgungssystemen wie z. B. Widerstand im eingeschalteten Zustand und Leistungskennzahl.P-Kanal Enhancement-Modus Für Stoßentladung ausgelegt Logikebene
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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