Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 430 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

250V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

5Ω

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

11.6nC

Gehäusegröße

SOT-223

Höhe

1.6mm

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

430mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C