Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 260 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

250V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

20Ω

Durchlassspannung (Vf)

83V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

4.3nC

Gehäusegröße

SOT-223

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

260mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C