Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 190 mA 1 W, 3-Pin SOT-89

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

250V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

20Ω

Durchlassspannung (Vf)

-1.1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

4.9nC

Gehäusegröße

SOT-89

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

190mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C