Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

800mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.84V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

12.4nC

Gehäusegröße

SOT-223

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

1A

Maximale Betriebstemperatur

150°C