Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 280 mA 500 mW, 3-Pin SC-70

Name: Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 280 mA 500 mW, 3-Pin SC-70
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BSS138WH6433XTMA1

Produkt-Nr.: P-DRMKM5-DRWGP8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 60V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 3.5Ω
Durchlassspannung (Vf): 0.85V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 1nC
Gehäusegröße: SC-70
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 280mA
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 500mW
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: SIPMOS

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 280mA
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = SC-70
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 3.5Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 500mW
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 0.8mm
Automobilstandard = AEC-Q101