Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 200 mA 0.36 W, 3-Pin SOT-23

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

5Ω

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

1nC

Gehäusegröße

SOT-23

Höhe

1.12mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

200mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C