Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 400 V / 170 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223

Name: Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 400 V / 170 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BSP324H6327XTSA1

Produkt-Nr.: P-DP7RKN-DRWGRN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 400V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 25Ω
Durchlassspannung (Vf): 0.8V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 4.54nC
Gehäusegröße: SOT-223
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 170mA
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 1.8W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 4
Produkt Typ: MOSFET
Serie: SIPMOS

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 170mA
Drain-Source-Spannung Vds max. = 400V
Gehäusegröße = SOT-223
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 25Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 1.8W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 6.5mm
Automobilstandard = AEC-Q101