Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 240 V / 350 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

240V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

6Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

4.3nC

Gehäusegröße

SOT-223

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

350mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C