Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 240 V / 260 mA 1 W, 3-Pin SOT-89

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

240V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

7.5Ω

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

3.7nC

Gehäusegröße

SOT-89

Höhe

1.5mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

260mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C