Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 240 V / 110 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

240V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

20Ω

Durchlassspannung (Vf)

0.81V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

2.1nC

Gehäusegröße

SOT-23

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

110mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C