Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 60 V / 230 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Entleerung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

8Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

1.4nC

Gehäusegröße

SOT-23

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

230mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C