Infineon OptiMOSTM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 275 A 129 W, 8-Pin PG-TDSON-8-34

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.29mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.8V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

66nC

Gehäusegröße

PG-TDSON-8-34

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

275A

Maximale Betriebstemperatur

175°C