Infineon OptiMOSTM Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 96 W, 8-Pin PG-TDSON-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.1mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

72nC

Gehäusegröße

PG-TDSON-8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

100A

Maximale Betriebstemperatur

150°C