Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 6.5 A 28 W, 3-Pin PG-TO252-3

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

250mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

10.6nC

Gehäusegröße

PG-TO252-3

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

6.5A

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

28W