Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 4.3 A 19 W, 3-Pin PG-TO252-3
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 400mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 6.7nC
- Gehäusegröße
- PG-TO252-3
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 4.3A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 19W
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS
Produktbeschreibung
Kabelkanaltyp = Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 4.3A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Serie = OptiMOS
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 400mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Betriebstemperatur min. = -55°C
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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