Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / -16.4 A 63 W, 3-Pin PG-TO252-3

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

90mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

-27nC

Gehäusegröße

PG-TO252-3

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

-16.4A

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

63W