Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 70 A 75 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 7.8mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- -1.3V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 71nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 70A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 75W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET & Diode
- Serie
- OptiMOS
Produktbeschreibung
Der Infineon bietet ein breites Portfolio von P-Kanal-Kfz-Leistungs-MOSFET in den Gehäusen DPAK, D2PAK, TO220, TO262 und SO8 mit der Technologie von OptiMOS -P2 und Gen5.P-Kanal - Logik Ebene - Anreicherungstyp Keine Ladungspumpe für Antrieb auf der Hochspannungsseite erforderlich. Einfache Schnittstellen-Treiberschaltung Weltweit niedrigster RDSon bei 40 V Höchste Strombelastbarkeit Niedrigste Schalt- und Leitungsverluste für höchste Wärmeeffizienz
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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