Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 46 A 36 W, 8-Pin TSDSON

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

N

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

9.9mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

6.9nC

Gehäusegröße

TSDSON

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

46A

Maximale Betriebstemperatur

150°C