Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 40 A 52 W, 8-Pin PQFN
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- N
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 4.6mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 25nC
- Gehäusegröße
- PQFN
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 40A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 52W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS
Produktbeschreibung
Kabelkanaltyp = Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 40A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 40V
Serie = OptiMOS
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 4.6mΩ
Channel-Modus = N
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 25nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = Nomm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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