Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 119 A 63 W, 8-Pin TDSON

Name: Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 119 A 63 W, 8-Pin TDSON
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BSC026N04LSATMA1

Produkt-Nr.: P-DRFJBH-DRVMXB

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: N
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 40V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 2.6mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 45nC
Gehäusegröße: TDSON
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 119A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 63W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: OptiMOS

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 119A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 40V
Gehäusegröße = TDSON
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 2.6mΩ
Channel-Modus = N
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 45nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 5.35mm
Automobilstandard = Nein