Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 180 A 313 W, 7-Pin TO-263
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- N
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 1.7mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 195nC
- Gehäusegröße
- TO-263
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 180A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 313W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 7
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 180A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Gehäusegröße = TO-263
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 1.7mΩ
Channel-Modus = N
Maximale Verlustleistung Pd = 313W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 4.57mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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