Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 950 V / 6 A 52 W, 3-Pin PG-TO252-3

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

950V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.2Ω

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

15nC

Gehäusegröße

PG-TO252-3

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

6A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

52W