Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 99 A 100 W, 9-Pin PG-WHTFN-9

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

80V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

4.6mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

19nC

Gehäusegröße

PG-WHTFN-9

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

99A

Maximale Betriebstemperatur

175°C