Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 95 A 83 W, 8-Pin SuperSO

Name: Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 95 A 83 W, 8-Pin SuperSO
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BSC052N08NS5ATMA1

Produkt-Nr.: P-DRB4XN-DR32P2

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 80V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 5.2mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.1V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 32nC
Gehäusegröße: SuperSO
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 95A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 83W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: OptiMOS

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 95A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 80V
Serie = OptiMOS
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 5.2mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Durchlassspannung Vf = 1.1V
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = No
Automobilstandard = Nein