Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 90 A 125 W, 3-Pin PG-TO252-3

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

80V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

4.6mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

42nC

Gehäusegröße

PG-TO252-3

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

90A

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

125W