Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 323 A 333 W, 9-Pin PG-TTFN-9

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

80V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.57mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

106nC

Gehäusegröße

PG-TTFN-9

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

323A

Maximale Betriebstemperatur

175°C