Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 15 A 2.5 W, 6-Pin MG-WDSON
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 75V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 45mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 7.2nC
- Gehäusegröße
- MG-WDSON
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 15A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 2.5W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 6
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS
Produktbeschreibung
Die 75-V-OptiMOS-Technologie von Infineon ist auf synchrone Gleichrichtungsanwendungen spezialisiert. Basierend auf der führenden 80-V-Technologie bieten diese 75-V-Produkte gleichzeitig niedrigste Betriebswiderstände und überlegene Schaltleistung. Es erfordert den geringsten Platinenplatzverbrauch. Weltweit niedrigster R DS(on), mit erhöhter Effizienz und umweltfreundlich.Geringe parasitäre Induktivität 100%ig auf Stoßentladung geprüft Es besteht aus zweiseitiger Kühlung
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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