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Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 15 A 2.5 W, 6-Pin MG-WDSON

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BSF450NE7NH3XUMA1

Produkt-Nr.: P-DRFFNP-DRSHWY

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
75V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
45mΩ
Durchlassspannung (Vf)
1.1V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
7.2nC
Gehäusegröße
MG-WDSON
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
15A
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

Die 75-V-OptiMOS-Technologie von Infineon ist auf synchrone Gleichrichtungsanwendungen spezialisiert. Basierend auf der führenden 80-V-Technologie bieten diese 75-V-Produkte gleichzeitig niedrigste Betriebswiderstände und überlegene Schaltleistung. Es erfordert den geringsten Platinenplatzverbrauch. Weltweit niedrigster R DS(on), mit erhöhter Effizienz und umweltfreundlich.Geringe parasitäre Induktivität 100%ig auf Stoßentladung geprüft Es besteht aus zweiseitiger Kühlung

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET

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