Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 72 A 416 W, 10-Pin PG-HDSOP-10

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

37mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

79nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

PG-HDSOP-10

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

72A

Maximale Betriebstemperatur

150°C