Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A 64 W, 3-Pin PG-TO252-3

Name: Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A 64 W, 3-Pin PG-TO252-3
Brand: INFINEON
Price: 0.88 EUR
Availability: InStock

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPD60R600CM8XTMA1

Produkt-Nr.: P-DRHT5S-DRW7JK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 650V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 0.6Ω
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 6nC
Gehäusegröße: PG-TO252-3
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 7A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 64W
Montageart: Oberfläche
Normen/Zulassungen: RoHS
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: OptiMOS

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 7A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 650V
Gehäusegröße = PG-TO252-3
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.6Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 6nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = RoHS
Automobilstandard = Nein

0,88 €

1,05 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Lieferzeit ca. 1 Tag

Zustand: Neu

Garantie: 12 MonateMindestbestellmenge: 10Mengenintervall: 10

Maximal 1920 verfügbar

Sichere Zahlung