Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 6 A 62.5 W, 3-Pin TO-263

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-40°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.66Ω

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

20nC

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

6A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

62.5W