Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 57 A 278 W, 10-Pin PG-HDSOP-10-1

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

50mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

68nC

Gehäusegröße

PG-HDSOP-10-1

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

57A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

278W