Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 24 A 127 W, 3-Pin PG-TO263-3

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

99mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

53nC

Gehäusegröße

PG-TO263-3

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

24A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

127W