Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 4.7 A 26 W, 3-Pin PG-TO252-3

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-40°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

600V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1Ω

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

6nC

Gehäusegröße

PG-TO252-3

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

4.7A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

26W