Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 127 W, 3-Pin PG-TO252-3

Name: Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 127 W, 3-Pin PG-TO252-3
Brand: INFINEON
Price: 2.38 EUR
Availability: OutOfStock

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPD60R180CM8XTMA1

Produkt-Nr.: P-DRGHV2-DR2YW3

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 600V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 0.18Ω
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 17nC
Gehäusegröße: PG-TO252-3
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 18A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 127W
Montageart: Oberfläche
Normen/Zulassungen: RoHS
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: OptiMOS

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 18A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 600V
Gehäusegröße = PG-TO252-3
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.18Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 17nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = RoHS
Automobilstandard = Nein

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