Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 71 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 9mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.95V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 17nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 50A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 71W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS
Produktbeschreibung
Der N-Kanal-MOSFET der Infineon OptiMOS-Serie in DPAK-Gehäuse hat eine Ableitungs-/Quellspannung von 60 V. Sie bietet die Vorteile höchster Strombelastbarkeit, niedrigste Schalt- und Leitungsleistungsverluste für höchste Wärmeeffizienz und robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.Kfz AEC Q101 zugelassen • MSL1 bis zu 260 °C Peak Reflow • Betriebstemperatur: 175 °C. • Grünes Gehäuse • Sehr niedrige Rds • 100 % Lawinenprüfung
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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