Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 47 A 36 W, 8-Pin SuperSO
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 13.4mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 9.4nC
- Gehäusegröße
- SuperSO
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 47A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 36W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS
Produktbeschreibung
Die Logikpegel der OptiMOS 5-Leistungs-MOSFETs von Infineon sind sehr gut geeignet für drahtlose Lade-, Adapter- und Telekommunikationsanwendungen. Die niedrige Gate-Ladung (Q g) der Geräte reduziert Schaltverluste ohne Kompromisse bei den Leitungsverlusten. Die verbesserten Leistungswerte ermöglichen den Betrieb bei hohen Schaltfrequenzen. Darüber hinaus bietet der Logikebenen-Antrieb eine niedrige Gate-Schwellenspannung (V GS(der)), sodass die MOSFETs mit 5 V und direkt von Mikrocontrollern angetrieben werden können.Low R DS(on) in kleinem Gehäuse Niedrige Gateladung Geringere Ausgangsladung Logikpegel-Kompatibilität
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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