Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 46 A 36 W, 8-Pin TDSON
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 14.6mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 12nC
- Gehäusegröße
- TDSON
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 46A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 36W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 46A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = TDSON
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 14.6mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 36W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1.1mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043056517
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