Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 80 A, 3-Pin TO-263

Name: Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 80 A, 3-Pin TO-263
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPB80N06S2H5ATMA2

Produkt-Nr.: P-DRFFPW-DRSHX5

Technische Daten

Automobilstandard: Nein
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 55V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 5.2mΩ
Gehäusegröße: TO-263
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 80A
Montageart: Oberfläche
Normen/Zulassungen: No
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: OptiMOS

Produktbeschreibung

Die Infineon OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen. Dies sind robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.Das Produkt ist gemäß AEC Q101 für den Kfz-Bereich zugelassen 100 % Lawinenprüfung Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C

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